Công ty TNHH Sao Đỏ Việt Nam

Icons giỏ hàng Giỏ hàng 0
Tổng : đ

Kính hiển vi ion hội tụ kết hợp điện tử quét Hitachi FIB-SEM NX9000

Model: FIB-SEM NX9000
Tình trạng: Liên hệ
Là hệ thống FIB-SEM mới được phát triển bởi hãng HITACHI, NX9000 được tích hợp cấu trúc tối ưu để thực hiện quá trình ăn mòn mặt cắt theo chuỗi phân giải cao, qua đó giải quyết được các thách thức mới nhất trong phân tích cấu trúc 3D và phân tích TEM.

Hệ thống FIB-SEM NX9000 đạt độ chính xác cao nhất trong quá trình nghiên cứu và chế tạo ở các ngành liên quan đến vật liệu tiên tiến, linh kiện điện tử, mô sinh học và vô số các lĩnh vực khác.
Bảo hành: Chưa có thông tin bảo hành


Giá bán: Liên hệ




Đặt hàng
  • Khung giờ giao hàng từ 8h00 - 18h00 hàng ngày.
  • Sản phẩm chính hãng, cung cấp CO & CQ.
  • Bảo hành miễn phí 03 tháng với hàng hóa tiêu hao và phụ kiện.
    Bảo hành miễn phí 12 tháng với máy chính.
  • Giá trên chỉ áp dụng đối với mặt hàng có sẵn.
    Đối với mặt hàng không có sẵn sẽ tính thêm phí vận chuyển.
Gửi email yêu cầu báo giá: info@redstarvietnam.com            Tất cả các ngày trong tuần

Cột điện tử và cột ion hội tụ được thiết kế trực giao để có được cấu trúc tối ưu nhất trong phân tích cấu trúc 3D. Sự kết hợp giữa nguồn phát xạ trường lạnh cường độ sáng cao với hệ quang học có độ nhạy cao hỗ trợ quá trình phân tích hiệu quả các loại mẫu đa dạng từ vật liệu từ tính đến mô sinh học.

Hệ thống tạo mẫu vi sai và hệ thống ba chùm tia  cho phép thực hiện quá trình chuẩn bị mẫu chất lượng cao, phục vụ các kỹ thuật quan sát TEM và đầu dò nguyên tử.

 

Ăn mòn bằng ion và quan sát theo thời gian thực

Cột điện tử và cột ion được thiết kết trực giao để hiện thực hóa khả năng quan sát SEM theo quá trình ăn mòn tạo mặt cắt của chùm ion.

Thiết kế trực giao loại bỏ nguy cơ biến dạng hướng như mất chi tiết ảnh mặt cắt, dịch chuyển trường nhìn trong quá trình chụp ảnh chuỗi mặt cắt, những hạn chế này không thể tránh khỏi bởi các hệ thống FIB-SEM thông thường. Hình ảnh chất lượng cao chụp bởi NX9000 hỗ trợ hiệu quả quá trình phân tích cấu trúc 3D chính xác. Các kỹ thuật hiển vi quang học cũng có thể dễ dàng áp dụng do bề mặt cắt có độ phẳng tương đồng.

 

 

 

Mẫu: Nơron tế bào thần kinh chuột

Sample courtesy of Yoshiyuki Kubota, Ph.D., Neural Information Precessing Systems (NIPS)

 

 

Cắt & Xem • 3D-EDS*1 • 3D-EBSD*1 cho nhiều loại vật liệu đa dạng khác nhau

 

Cắt & Xem

Cắt & Xem hỗ trợ quá trình chụp ảnh phân giải và tương phản cáo đối với các loại vật gồm mô sinh học, vật liệu bán dẫn, vật liệu từ như thép và nickel ở thế gia tốc thấp. Chuỗi ảnh chụp mặt cắt có thể thu thập ở tốc độ cao do thiết kế cấu trúc cột điện tử và cột ion.

 

Mẫu: Vi mạch bộ nhớ NAND

Thế gia tốc: 1 kV

Bước cắt: 1 nm

Chuỗi bước cắt: 300 lần

 

 

3D-EDS*1

Chuỗi ảnh chụp mặt cắt và  bản đồ nguyên tố chuỗi mặt cắt được thu thập thông tin khi sử dụng đầu dò tán xạ năng lương tia X 3D-EDS.

Đầu dò công nghệ SSD có phạm vi phân tích rộng giúp giảm thiểu thời gian thu thập thông tin và tạo bản đồ nguyên tố ở thế gia tốc thấp.

 

 

 

Mẫu: Điện cực pin mặt trời:

Thế gia tốc: 4 kV

Bước cắt: 100 nm

Chuỗi bước cắt: 212 lần

 

Sample courtesy of Prof. Naoki Shikazono, University of Tokyo

 

 

3D-EBSD*1

Các tín hiệu SEM, FIB và EBSD được thu thập đồng thời mà không cần dịch chuyển bệ mẫu trong quá trình ăn mòn mặt cắt và phân tích EBSD. Độ chính xác và tốc độ phân tích đính hướng và phân vùng tinh thể 3D đạt chất lượng tối ưu và giảm thiểu yêu cầu hiệu chỉnh sau phân tích.

 

 

Mẫu: Ni

Thế gia tốc: 20 kV

Bước cắt: 150 nm

Chuỗi bước cắt: 150 lần

 

*1: Tùy chọn thêm

 

 

Bằng sáng chế của hãng HITACHI:

US6118122, US6538254, US6828566, US7138628, US7345289, US7397050, US7397051, US7442942, US7525108, US7550750, US8198603, US8569719, US8642958, US8664598, và các bằng sáng chế khác, tính đến tháng 6 năm 2015.

SEM

Nguồn điện tử

Nguồn phát xạ catốt lạnh

 

Thế gia tốc

0.1 – 30 kV

 

Độ phân giải

2.1 nm@1 kV

 

 

1.6 nm@15 kV

FIB

Nguồn Ion

Nguồn Ion kim loại lỏng Ga

 

Thế gia tốc

0.5 – 30 kV

 

Độ phân giải

4.0 nm@30kV

 

Dòng đầu dò tối đa

100 nA

Đầu dò tiêu chuẩn

 

In-column SED / In-column BSED / Chamber SED

Bệ mẫu

X

0 – 20 mm *2

 

Y

0 – 20 mm *2

 

Z

0 – 20 mm *2

 

θ

0 – 360o *2

 

T

-25 – 45o *2

  • Đánh giá sản phẩm:

(Xem mã khác)