1. Giảm đáng kể thời gian xử lý nhờ sử dụng dòng điện đầu dò cường độ lớn (tối đa 90 nA)

Xử lý mặt cắt của mối hàn (kích thước xử lý: W: 95 µm, D:55 µm, thời gian chạy máy: 20 phút)

2. Không làm hỏng mẫu khi chuẩn bị mẫu TEM nhờ điện áp xử lý thấp (0.5 kV hay cao hơn)
   và tăng cường độ phân giải ảnh điện tử thứ cấp ở mức áp kV thấp (thấp hơn 1kV: tùy chọn thêm)

3. Độ phân giải thu ảnh SIM cao (độ phân giải ảnh điện tử thứ cấp 4nm ở 30 kV)

4. Bàn mẫu cơ học điều khiển 5- trục tự động có độ chính xác cao 

Cho phép xác định tọa độ chính xác hơn giúp căn chỉnh khi tạo ảnh và chuẩn bị mẫu  liên tục cho TEM.

5. Dễ sử dụng và nhiều phương pháp xử lý mẫu

Có thể thổi nhiều loại khí trong quá trình thụ động hóa, hàn, cách nhiệt và khắc mòn, v.v. 

• Lên chương trình cho mặt cắt ngang
• Lên chương trình chuẩn bị mẫu TEM/STEM
• Xử lý định hướng tự động liên tục
• Chuẩn bị mẫu TEM tự động (A-TEM)
• Xử lý đồ họa
• Xử lý quét vec tơ
• Xử lý cấu trúc nano 3D, v.v.

6. Phân tích tái cấu trúc ảnh 3D SIM 

Có thể thực hiện phân tích tái cấu trúc sử dụng hình ảnh mặt cắt SIM thu được bằng cách lấy các mặt cắt đều nhau và quan sát. Tính năng này thích hợp để quan sát 3 chiều trạng thái phân tán và hốc của phần tử vật liệu composite.

7. Chỉnh sửa mạch sử dụng hệ thống cấp khí đa năng (MGS II) (Tùy chọn thêm)

Có thể cấp nhiều loại khí khi chỉnh sửa mạch, hàn, thụ động hóa, cách điện, khắc mòn…

• Khí phủ Tungsten
• Khí phủ Platinum
• Khí phủ cách ly
• Khí ăn mòn XeF2
• Khí ăn mòn hữu cơ
• Khí phủ Cacbon 

8. Nhiều tính năng liên kết (Tùy chọn thêm)

Chỉ có tính năng liên kết phối hợp của  Hitachi High-Tech Science cho phep xác định liên kết nhanh chóng và chính xác.

• Liên kết với OM và tính năng nhân đôi ảnh SIM

(Japan Patent No.4634134, US Patent No. 7595488)

• Liên kết với kiểm tra lỗi và rìa đế silic cũng như trên toàn bộ đế silic

• Liên kết với hệ thống định vị CAD