Hệ quang học Low CsFIB*2 phát ra chùm tia có cường độ không nhỏ hơn 50 nA (@40 kV) trong một kích thước điểm khoảng 1 µm. Cường độ dòng điện cao cho phép đánh bóng diện tích lớn các mẫu đặc biệt, chế tạo các vật liệu có độ cứng cao và chuẩn bị nhiều loại mẫu khác nhau với năng suất cao hơn.
Công nghệ độc quyền Micro-sampling của Hitachi với chuyển động đầu dò nhịp nhàng*1. Đồng thời, có thể sử dụng đầu dò này để trợ giúp cô lập lỗi trong quá trình tạo ảnh dòng hấp thụ mới được phát triển.
Phát hiện điểm kết thúc chính xác
Hiển vi Điện tử quét (SEM) độ phân giải cao cho phép phát hiện điểm kết thúc với độ chính xác cao. Tính năng quan sát mặt cắt cho phép quan các đặc điểm chính của mặt cắt sử dụng hình ảnh thời gian thực của Hiển vi Chùm ion hội tụ (FIB). Tính năng này đặc biệt thích hợp khi chuẩn bị các mẫu nhạy cảm với phát xạ electron như vật liệu có hằng số điện môi nhỏ (Low-K Material).
Thiết kế cột SEM và đầu dò đặc biệt của Hitachi*2 cho phép quan sát hình ảnh SEM độ phân giải cao trong khi diễn ra cũng như sau khi kết thúc quá trình chế tạo bằng FIB.
Bệ mẫu kiểu STEM/TEM đặt ở bên cho phép sử dụng cùng một loại giá giữ mẫu (tương thích với các hệ thống NB5000 và TEM/STEM của Hitachi). Không cần dùng nhíp giữ mẫu trong quá trình chuyển mẫu giúp tăng năng suất làm việc với TEM/STEM.
*1: Phụ kiện chọn thêm
*2: Các bằng sáng chế của Hitachi:
Hệ quang học Low Cs FIB: đang chờ cấp bằng sáng chế;
Micro-sampling: JP2774884/US5270552;
Tính năng quan sát mặt cắt: đang chờ cấp bằng sáng chế;
Thiết kế cột SEM và đầu dò: JP3081393/US5387793;
Giá giữ mẫu tương thích: JP2842083.
|
FIB |
Thế gia tốc |
1 - 40 kV |
|
|
Cường độ chùm tia |
50 nA hay cao hơn @ 40 kV (CP) |
||
|
Độ phân giải SIM |
5 nm @ 40 kV (CP) |
||
|
Độ phóng đại |
×60 - ×250,000 |
||
|
Nguồn Ion |
Kim loại Gali lỏng |
||
|
Hệ thống thấu kính |
Hệ thống thấu kính tĩnh điện 2 cấp |
||
|
SEM |
Thế gia tốc |
0.5 - 30 kV |
|
|
Độ phân giải SEM |
1.0 nm @ 15 kV (CP) |
||
|
Độ phóng đại |
Chế độ High Mag |
×250 - ×800.000 |
|
|
Chế độ Low Mag |
×70 - ×2.000 |
||
|
Nguồn điện tử |
Phát xạ Schottky ZrO/W |
||
|
Hệ thống thấu kính |
Hệ thống thấu kính điện từ 3 cấp |
||
|
Lựa chọn tín hiệu |
SEM |
SE cao, SE thấp, dòng hấp thụ*1 |
|
|
FIB |
SE thấp, dòng hấp thụ*1 |
||
|
Bệ mẫu |
Khoảng di chuyển |
X: 50 mm (30 mm*2), |
|
|
T: -1.5 - 58.3°, R: 360° |
|||
|
Kích thước mẫu |
Đường kính tối đa |
Φ50 mm (Φ30 mm*2) |
|
|
Lắng |
Vật liệu |
Vonfram/Cacbon (thay đổi được) |
|
|
Micro-sampling |
Thay đổi đầu dò |
Kiểu khóa tải |
|
|
Tính năng bổ sung |
Nhận biết cảm ứng, tạo ảnh dòng điện hấp thụ*1 |
||
CP: Điểm cắt chùm tia
*1: Phụ kiện chọn thêm
*2: Khi đặt hàng bệ mẫu nạp tải ở bên
Hiện tại chưa có ý kiến đánh giá nào về sản phẩm. Hãy là người đầu tiên chia sẻ cảm nhận của bạn.
