Tạo ảnh STEM độ phân giải cao
HAADF-STEM image 0.136 nm, FFT image 0.105 nm (HR lens*)
BF STEM image 0.204 nm (w/o Cs-corrector)
Phân tích EDX độ nhay và tốc độ cao: Dòng dò lớn hơn gấp 10 lần
Lập bản đồ nguyên tố với thời gian nhanh hơn, phát hiện các nguyên tố có nộng độ thấp.
Hitachi in-house Cs-corrector
Được trang bị với một bộ hiệu chỉnh quang sai cầu dạng đầu dò được phát triển bởi Hitachi,
quá trình hiệu chỉnh quang sai tự động diễn ra nhanh chóng và không yêu cầu phải có kinh nghiệm về hiệu chỉnh quang sai.
Giải pháp hoàn hảo cho tất cả từ chuẩn bị mẫu đến quan sát & phân tích
Hố giữ mẫu tương tích với FIB Hitachi.
|
STT |
Mô tả |
|
|
w/o Cs-corrector |
w/Cs-corrector |
|
|
Phân giải hình ảnh |
0.204nm (ở độ phóng đại 4,000,000x) |
0.136nm (hỉnh ảnh HAADF-STEM) 0.105nm (FFT) (ở độ phóng đại 7,000,000x)(Hrlens) |
|
Độ phóng đại |
100x -10,000,000x |
|
|
Thế gia tốc |
200kV, 120kV*, 80kV* |
|
|
Tín hiệu hình ảnh |
Trường sáng STEM: hình ảnh tương phản pha (hình ảnh TE) Nền đen STEM: hỉnh ảnh tương phản – Z (hỉnh ảnh ZC) Hình ảnh điện tử thứ cấp (hỉnh ảnh SE) Nhiễu xạ điện tử* Phân tích đặc trưng tia X và lập bản đồ nguyên tố (EDX)* Phân tích EELS và lập bản đồ nguyên tố (EV3000)* |
|
|
Quang điện tử |
Nguồn điện tử |
Phát xạ Schottky (w/o Cs-corrector) Phát xạ trường lạnh (w/Cs-Corrector, w/o Cs-corrector) |
|
Hệ thống thấu kính hội tụ |
Thấu kính hội tụ 2 tầng |
|
|
Cs-corrector* |
Thiết kế thấu kính truyền đa cực |
|
|
Cuộn quét |
Cuộn từ trường 2 tầng |
|
|
Bộ điều khiển góc thu ZC |
Thiết kế thấu kính rọi |
|
|
Dịch ảnh trường điện |
±1um |
|
|
Đế mẫu |
Dịch chuyển đế mẫu |
X/Y = ±1mm, Z = ±0.4mm |
|
Nghiêng mẫu |
Hố giữ mẫu nghiêng đơn: ±300 (Std. Léns) ±180 (HR lens) |
|
Tạo ảnh SEM hiệu chỉnh Cs
HD –series của Hitachi dành riêng cho STEM được trang bị đầu dò điện tử thứ cấp (SE) như cấu hình tiêu chuẩn, điều này cho phép ghi ảnh
bề mặt mẫu vật trực tiếp và thu thập thông tin về cấu trúc bên trong của mẫu thông qua chùm điện tử truyền qua. Hỉnh ảnh SE cho phép đo
kích thước tinh của mẫu dầy không tương thích cho STEM. Hiệu chỉnh quang sai cầu đẩy độ phân giải SEM tới cấp độ nguyên tử.
 |
 |
Đầu dò EDS góc khối lớn
Góc khối lớn SDD 100 mm2 thây rõ độ nhạy phân tích EDS gấp nhiều lần so với trước đây, và thông lượng phân tích các nguyên tố
cũng cao hơn trong thời gian thu dữ liệu ngắn hơn.
Thiết bị ánh xạ transistor bán dẫn MOS: HD-2700B (không hiệu chỉnh Cs), Thời gian thu: 10 giây/khung hình, Tốc độ xem: 5x
Hiện tại chưa có ý kiến đánh giá nào về sản phẩm. Hãy là người đầu tiên chia sẻ cảm nhận của bạn.
