Cột điện tử và cột ion hội tụ được thiết kế trực giao để có được cấu trúc tối ưu nhất trong phân tích cấu trúc 3D. Sự kết hợp giữa nguồn phát xạ trường lạnh cường độ sáng cao với hệ quang học có độ nhạy cao hỗ trợ quá trình phân tích hiệu quả các loại mẫu đa dạng từ vật liệu từ tính đến mô sinh học.
Hệ thống tạo mẫu vi sai và hệ thống ba chùm tia cho phép thực hiện quá trình chuẩn bị mẫu chất lượng cao, phục vụ các kỹ thuật quan sát TEM và đầu dò nguyên tử.
Cột điện tử và cột ion được thiết kết trực giao để hiện thực hóa khả năng quan sát SEM theo quá trình ăn mòn tạo mặt cắt của chùm ion.
Thiết kế trực giao loại bỏ nguy cơ biến dạng hướng như mất chi tiết ảnh mặt cắt, dịch chuyển trường nhìn trong quá trình chụp ảnh chuỗi mặt cắt, những hạn chế này không thể tránh khỏi bởi các hệ thống FIB-SEM thông thường. Hình ảnh chất lượng cao chụp bởi NX9000 hỗ trợ hiệu quả quá trình phân tích cấu trúc 3D chính xác. Các kỹ thuật hiển vi quang học cũng có thể dễ dàng áp dụng do bề mặt cắt có độ phẳng tương đồng.
Mẫu: Nơron tế bào thần kinh chuột
Sample courtesy of Yoshiyuki Kubota, Ph.D., Neural Information Precessing Systems (NIPS)
Cắt & Xem hỗ trợ quá trình chụp ảnh phân giải và tương phản cáo đối với các loại vật gồm mô sinh học, vật liệu bán dẫn, vật liệu từ như thép và nickel ở thế gia tốc thấp. Chuỗi ảnh chụp mặt cắt có thể thu thập ở tốc độ cao do thiết kế cấu trúc cột điện tử và cột ion.
Mẫu: Vi mạch bộ nhớ NAND
Thế gia tốc: 1 kV
Bước cắt: 1 nm
Chuỗi bước cắt: 300 lần
Chuỗi ảnh chụp mặt cắt và bản đồ nguyên tố chuỗi mặt cắt được thu thập thông tin khi sử dụng đầu dò tán xạ năng lương tia X 3D-EDS.
Đầu dò công nghệ SSD có phạm vi phân tích rộng giúp giảm thiểu thời gian thu thập thông tin và tạo bản đồ nguyên tố ở thế gia tốc thấp.
Mẫu: Điện cực pin mặt trời:
Thế gia tốc: 4 kV
Bước cắt: 100 nm
Chuỗi bước cắt: 212 lần
Sample courtesy of Prof. Naoki Shikazono, University of Tokyo
Các tín hiệu SEM, FIB và EBSD được thu thập đồng thời mà không cần dịch chuyển bệ mẫu trong quá trình ăn mòn mặt cắt và phân tích EBSD. Độ chính xác và tốc độ phân tích đính hướng và phân vùng tinh thể 3D đạt chất lượng tối ưu và giảm thiểu yêu cầu hiệu chỉnh sau phân tích.
Mẫu: Ni
Thế gia tốc: 20 kV
Bước cắt: 150 nm
Chuỗi bước cắt: 150 lần
*1: Tùy chọn thêm
Bằng sáng chế của hãng HITACHI:
US6118122, US6538254, US6828566, US7138628, US7345289, US7397050, US7397051, US7442942, US7525108, US7550750, US8198603, US8569719, US8642958, US8664598, và các bằng sáng chế khác, tính đến tháng 6 năm 2015.
