Nguồn điện tử phát xạ trường lạnh độ sáng cao (Cold FE)
Nguồn điện tử phát xạ trường lạnh mang lại phép phân tích nanoscale có độ sáng và độ phân giải năng lượng cao. Sự cố kết cao vốn có của nó góp phần đáng kể cho tạo ảnh độ phân giải siêu cao và chụp ảnh điện tử giao thoa la de.*
Thế gia tốc 300kV
Thế gia tốc 300kV cho hình ảnh với độ phân giải nguyên tử với mẫu dầy. Kim loại và gốm sứ với nguyên tử số cao, ít điện tử minh bạch và thường được quan sát ở thế gia tốc 300kV.
Các tính năng phân tích độc nhất
Không gian xử lý EELS vừa mới được giới thiệu và quan sát hình ảnh SEM/TEM cùng vị trí nhiễu xạ điện tử nanobeam cung cấp khả năng phân tích tinh vi và độc đáo.
Đế mẫu liên kết với hệ thống hai chùm tia FIB
Hố giữ mẫu của Hitachi tương thích với hệ thống hai chùm tia FIB không yêu cầu xử lý với nhíp lới của TEM giữa FIB chế tạo và quan sát TEM và phân tích mẫu trên TEM cho độ tin cậy cao. Hỗ giữ mẫu xoay độc đáo của Hitachi* cho phép phân tích cấu trúc đa chiều thời gian thực cùng với bộ phận STEM.
Hoạt động thân thiện
Máy tính điều khiển TEM/STEM* dựa trên nền Windows, Điều chỉnh khẩu độ bằng motor, đế giữ mẫu tự động 5 trục cho phép truy cận TEM dễ dạng hơn, Thế gia tốc sẵn sàng trong vòng 10 phút và thay đổi mẫu mất 1 phút khi tiến hành phân tích mẫu trên TEM.
* Phụ kiện chọn thêm
* Windows là một nhãn hiệu đã được đăng ký của Microsoft Corp., tại Hoa Kỳ các quốc gia khác
STT |
Mô tả |
|
Nguồn phát điện tử |
W(310) nguồn phát điện tử trường lạnh |
|
Thế gia tốc |
300kV, 200kV*2, 100kV*2 |
|
Độ phân giải |
Lưới |
0.10nm |
Điểm tới điểm |
0.19nm |
|
Thông tin hạn chế |
0.13nm |
|
Độ phóng đại |
Chế độ phóng đại thấp |
200 – 500x |
Chế độ phóng đại cao |
2,000 – 1,500,000x |
|
Xoay ảnh |
±50 hoặc nhỏ hơn (chế độ phóng đại cao, dưới 1,000,000x) |
|
Góc nghiêng mẫu |
±150 |
|
Độ sâu camera |
300 – 3,000mm |
Hiện tại chưa có ý kiến đánh giá nào về sản phẩm. Hãy là người đầu tiên chia sẻ cảm nhận của bạn.