 |
 |
|||
| (a) Hình ảnh SE | (b) Hình ảnh HA-BSE được lọc năng lượng | |||
| Hình 1 Kết quả quan sát cực âm của pin lithium ion Thiết bị: FE-SEM SU8200 Điện thế gia tốc: 1,0 kV, Độ phóng đại: 30.000x |
||||
Việc nghiên cứu cấu trúc bề mặt trên cực âm của pin lithium ion là rất quan trọng, vì hiệu suất của pin phụ thuộc rất nhiều vào bộ phận này. Hình 1 cho chúng ta thấy được hình ảnh SE (a) và hình ảnh HA-BSE đã lọc năng lượng (b) được chụp bằng chức năng của FE-SEM. Có thể nhìn thấy trong ảnh SE rất nhiều hạt nhỏ tồn tại trên các vật liệu. Các hạt nhỏ trong hình ảnh HA-BSE tối hơn, có nghĩa là chúng là vật liệu nhẹ hơn vật liệu pin. Như được hiển thị ở đây, chức năng top filter có khả năng phát hiện thất thoát BSE năng lượng thấp, rất hữu ích để làm nổi lên sự tương phản vật liệu trên bề mặt mẫu vật.
Bái viết ứng dụng được cung cấp bởi Yoichiro Hashimoto- Phòng phát triển ứng dụng.
*****************************************************************
Để được tư vấn và biết thêm thông tin chi tiết, xin vui lòng liên hệ:
Công ty TNHH Sao Đỏ Việt Nam
Email: thuy.le@redstarvietnam.com / info@redstarvietnam.com
