● Cho ảnh EBAC chất lượng cao với bộ khuếch đại vi sai chất lượng cao EBAC ba82g sáng chế của Hitachi.
● Giao diện người dùng GUI (Graphical User Interface) trực quan với nhiều ảnh và tính năng xử lý màu sắc.
● Phạm vi xác định, quang sai thấp, súng điện tử Phát Trường Lạnh (CFE) để thu ảnh ở điện thế thấp và giảm sự phá hủy của chùm tia cho mạch điện.
● Đầu dò nano có độ chính xác cao.
● Vị trí thô của đầu dò được giám sát bằng một hệ thống máy quay CCD đặt bên trong buồng mẫu.
Kỹ thuật EBAC là phương pháp nhanh chóng và hiệu quả xác định liên kết hở, điện trở cao và ngắn mạch mà không cần kỹ thuật gắn đầu dò trực tiếp vào lớp cấp thấp hơn. EBAC tối ưu hóa chùm tia điện tử đi qua hai lớp điện tử cho phép lớp kim loại bên dưới hấp thụ dòng điện của chùm điện tử. Điện áp gia tốc của bộ điều khiển FESEM kiểm soát độ sâu đo đạc qua hai lớp điện tử. Một đầu đo đặt trên lớp màng bên trên để khép kín mạch và để cho điện tử đi qua liên kết. Quan sát điện trở cao và ngắn mạch gây ra bởi hiệu ứng Seebeck có thể được thực hiện bằng cách sử dụng hai đầu đo và bằng sáng chế của Hitachi là bộ khuếch đại vi sai EBAC.
Hình ảnh EBAC của liên kết 4 lớp nhôm dùng tính năng hiển thị màu.
*Hình ảnh bộ khuếch đại dòng điện
Hitachi Electron Beam Absorbed Current(EBAC) Characterization System nanoEBAC NE4000
|
Probe unit |
|
|
Unit number |
4 |
|
Driving method |
Piezoelectric |
|
Fine stroke range |
5 µm (X,Y) |
|
Coarse stroke range |
6 mm (X,Y) |
|
Specimen stage / Base stage |
|
|
Specimen size |
25 mm × 25 mm × 1 mm thick or less |
|
Traverse position |
Measurement / Specimen exchange position |
|
Specimen exchange |
Air-locked exchange chamber |
|
Prober navigation |
Stage traverse to probe position |
|
Measurement position memory |
|
|
Probe coarse adjustment |
|
|
CCD image display |
Image display from lateral direction |
|
Electron optics |
|
|
Electron gun |
Cold field emission electron source |
|
Accelerating voltage |
0.5 kV to 30 kV |
|
Resolution |
15 nm (at 2 kV, WD=15 mm) |
|
Image shift |
±150 µm (at 2 kV, WD=15 mm) |
|
EBAC amplifier / Image display |
|
|
Amplifier type |
Current amplifier / Differential amplifier |
|
Image display |
SEM / EBAC (Single / Parallel / Overlay) |
|
Image processing |
Black and white reversal display, color display, brightness adjustment, slow scan integration, belt scan |
Dimensions and Weight
|
Main unit |
1,100 (W) × 1,550 (D) × 1,750 (H) mm, 850 kg |
|
Display unit |
1,000 (W) × 1,005 (D) × 1,200 (H) mm, |
Utility requirement
|
Room temperature |
15 - 25 °C |
|
Humidity |
60% RH or less |
|
Power |
AC100 V±10% 5 kVA (M5 crimp terminal) |
|
Grounding |
100Ω or less |
Hiện tại chưa có ý kiến đánh giá nào về sản phẩm. Hãy là người đầu tiên chia sẻ cảm nhận của bạn.
