Đây là bộ khuếch đại GW Type 31 nguyên bản, đang được sản xuất tại Anh.

Khi một electron năng lượng cao xuyên qua một chất bán dẫn kết tinh, phần lớn động năng được hấp thụ bằng cách ion hóa các nguyên tử silicon bằng cách đẩy các electron khỏi quỹ đạo của chúng. Mỗi nguyên tử ion hóa tạo ra một electron tự do và vị trí hóa trị trống khiến nguyên tử mất cân bằng điện tích và mang điện tích dương. Điện tích dương này tạo thành các lỗ trống di chuyển từ nguyên tử này sang nguyên tử dưới tác động của trường bên ngoài tạo ra ảo ảnh của một dòng điện tích dương. Tại giao diện của vùng pha tạp P và pha tạp N.

Có một vùng trống hẹp của các hạt mang điện tích di động do điện trường (Mức Fermi) được tạo ra bởi sự phân phối lại các electron và lỗ trống ở nơi giao nhau. Nếu các electron và lỗ trống được tạo ra bởi các electron va chạm có thể đi vào Vùng Thủng (depletion zone), thì chúng cũng sẽ bị Mức Fermi đẩy ra: chuyển động của các hạt mang điện này biểu hiện như một dòng điện trong mạch ngoài. Trong Silicon, cặp lỗ trống electron trung bình cần khoảng 3,6eV năng lượng để dòng điện bên ngoài, tỷ lệ thuận với số lượng hạt mang điện tích đi vào Vùng Thủng, có thể lớn hơn hai đến bốn cấp phóng đại so với dòng điện phụ thuộc vào năng lượng chùm tia sơ cấp và tỷ lệ phần trăm của các cặp lỗ trống có thể được hấp thụ vào Vùng Thủng. Hiện tượng này được gọi là dòng điện cảm ứng tia điện tử hoặc EBIC. Hiệu ứng tương tự này có thể được gây ra bởi sự bắn phá photon và là cơ sở cho hoạt động của photodiod và pin mặt trời.

Các thiết bị bán dẫn phẳng hiện đại, do cấu trúc hai chiều độc đáo của chúng, cho phép dễ dàng kiểm tra cả định tính và định lượng bằng kỹ thuật EBIC trong Kính hiển vi điện tử quét và cả Kính hiển vi quét laser (OBIC).